La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF5810
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Número de pieza
IRF5810
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potencia - Máx.
960mW
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.9A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 16V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 8711 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF5810
IRF5810 Componentes electrónicos
IRF5810 Ventas
IRF5810 Proveedor
IRF5810 Distribuidor
IRF5810 Tabla de datos
IRF5810 Fotos
IRF5810 Precio
IRF5810 Oferta
IRF5810 El precio más bajo
IRF5810 Buscar
IRF5810 Adquisitivo
IRF5810 Chip