La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF5852TR
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Número de pieza
IRF5852TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potencia - Máx.
960mW
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.7A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.25V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 54266 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF5852TR
IRF5852TR Componentes electrónicos
IRF5852TR Ventas
IRF5852TR Proveedor
IRF5852TR Distribuidor
IRF5852TR Tabla de datos
IRF5852TR Fotos
IRF5852TR Precio
IRF5852TR Oferta
IRF5852TR El precio más bajo
IRF5852TR Buscar
IRF5852TR Adquisitivo
IRF5852TR Chip