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IRG7CH30K10EF
IGBT CHIP WAFER
Número de pieza
IRG7CH30K10EF
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tipo de entrada
Standard
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
Corriente - Colector (Ic) (Max)
10A
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
1200V
Tipo IGBT
Trench
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
2.56V @ 15V, 10A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)
-
Energía de conmutación
-
Cargo de puerta
4.8nC
Td (encendido/apagado) @ 25�C
10ns/90ns
Condición de prueba
600V, 10A, 22 Ohm, 15V
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