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IRL60HS118

IRL60HS118

MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Número de pieza
IRL60HS118
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-PQFN (2x2)
Disipación de energía (máx.)
11.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.3V @ 10µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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