Comprar Infineon Technologies IRL6372PBF MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

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IRL6372PBF

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Número de pieza

IRL6372PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Tube

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8.1A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.1V @ 10µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V

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