Comprar Infineon Technologies SPP02N60C3HKSA1 MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

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SPP02N60C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Número de pieza

SPP02N60C3HKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO220-3-1

Disipación de energía (máx.)

25W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.8A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.9V @ 80µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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