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IXCY01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252

Número de pieza

IXCY01N90E

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-252

Disipación de energía (máx.)

40W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

900V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

250mA (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

80 Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

133pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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