La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH
Número de pieza
IXFA12N65X2
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263AA
Disipación de energía (máx.)
180W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1134pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 13070 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFA12N65X2
IXFA12N65X2 Componentes electrónicos
IXFA12N65X2 Ventas
IXFA12N65X2 Proveedor
IXFA12N65X2 Distribuidor
IXFA12N65X2 Tabla de datos
IXFA12N65X2 Fotos
IXFA12N65X2 Precio
IXFA12N65X2 Oferta
IXFA12N65X2 El precio más bajo
IXFA12N65X2 Buscar
IXFA12N65X2 Adquisitivo
IXFA12N65X2 Chip