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IXFA4N100P

MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK

Número de pieza

IXFA4N100P

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263 (IXFA)

Disipación de energía (máx.)

150W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.3 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1456pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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