La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFA4N100P

IXFA4N100P

MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
Número de pieza
IXFA4N100P
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263 (IXFA)
Disipación de energía (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1456pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 15203 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFA4N100P
IXFA4N100P Componentes electrónicos
IXFA4N100P Ventas
IXFA4N100P Proveedor
IXFA4N100P Distribuidor
IXFA4N100P Tabla de datos
IXFA4N100P Fotos
IXFA4N100P Precio
IXFA4N100P Oferta
IXFA4N100P El precio más bajo
IXFA4N100P Buscar
IXFA4N100P Adquisitivo
IXFA4N100P Chip