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IXFB170N30P

MOSFET N-CH TO-264

Número de pieza

IXFB170N30P

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-264-3, TO-264AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PLUS264™

Disipación de energía (máx.)

1250W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

300V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

170A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 85A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

258nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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