La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFE36N100
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
Número de pieza
IXFE36N100
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Disipación de energía (máx.)
580W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
33A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
455nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
15000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 39115 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFE36N100
IXFE36N100 Componentes electrónicos
IXFE36N100 Ventas
IXFE36N100 Proveedor
IXFE36N100 Distribuidor
IXFE36N100 Tabla de datos
IXFE36N100 Fotos
IXFE36N100 Precio
IXFE36N100 Oferta
IXFE36N100 El precio más bajo
IXFE36N100 Buscar
IXFE36N100 Adquisitivo
IXFE36N100 Chip