Comprar IXYS IXFI7N80P MOSFET N-CH 800V 7A TO-263

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IXFI7N80P

MOSFET N-CH 800V 7A TO-263

Número de pieza

IXFI7N80P

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-262 (I2PAK)

Disipación de energía (máx.)

200W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.44 Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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