La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
Número de pieza
IXFJ20N85X
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
ISO TO-247-3
Disipación de energía (máx.)
110W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
850V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1660pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 42225 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFJ20N85X
IXFJ20N85X Componentes electrónicos
IXFJ20N85X Ventas
IXFJ20N85X Proveedor
IXFJ20N85X Distribuidor
IXFJ20N85X Tabla de datos
IXFJ20N85X Fotos
IXFJ20N85X Precio
IXFJ20N85X Oferta
IXFJ20N85X El precio más bajo
IXFJ20N85X Buscar
IXFJ20N85X Adquisitivo
IXFJ20N85X Chip