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IXFM11N80

POWER MOSFET TO-3

Número de pieza

IXFM11N80

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Estado de la pieza

Last Time Buy

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-204AA, TO-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-204AA

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

950 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 4mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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