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IXTB30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Número de pieza
IXTB30N100L
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-264-3, TO-264AA
Paquete de dispositivo del proveedor
PLUS264™
Disipación de energía (máx.)
800W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
30A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
545nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
13200pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
±30V
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