La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTF1R4N450

IXTF1R4N450

2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
Número de pieza
IXTF1R4N450
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Paquete de dispositivo del proveedor
ISOPLUS i4-PAC™
Disipación de energía (máx.)
190W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
4500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3300pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 33750 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXTF1R4N450
IXTF1R4N450 Componentes electrónicos
IXTF1R4N450 Ventas
IXTF1R4N450 Proveedor
IXTF1R4N450 Distribuidor
IXTF1R4N450 Tabla de datos
IXTF1R4N450 Fotos
IXTF1R4N450 Precio
IXTF1R4N450 Oferta
IXTF1R4N450 El precio más bajo
IXTF1R4N450 Buscar
IXTF1R4N450 Adquisitivo
IXTF1R4N450 Chip