Comprar IXYS IXTF6N200P3 MOSFET N-CH

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH

Número de pieza

IXTF6N200P3

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Polar™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Paquete de dispositivo del proveedor

ISOPLUS i4-PAC™

Disipación de energía (máx.)

215W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

2000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 9127 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

IXTF02N450

MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK