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IXTN120P20T
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
Número de pieza
IXTN120P20T
Fabricante/Marca
Serie
TrenchP™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Disipación de energía (máx.)
830W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
106A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
740nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
73000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±15V
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