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IXTN30N100L

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

Número de pieza

IXTN30N100L

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

800W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 15A, 20V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

545nC @ 20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

20V

Vgs (máx.)

±30V

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