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IXTN550N055T2

MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Número de pieza

IXTN550N055T2

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

GigaMOS™, TrenchT2™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

940W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

550A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

595nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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