Comprar IXYS VMO550-01F MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

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VMO550-01F

MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

Número de pieza

VMO550-01F

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

Y3-DCB

Paquete de dispositivo del proveedor

Y3-DCB

Disipación de energía (máx.)

2200W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

590A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

6V @ 110mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2000nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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