Comprar IXYS VWM200-01P MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

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VWM200-01P

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Número de pieza

VWM200-01P

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

V2-PAK

Potencia - Máx.

Paquete de dispositivo del proveedor

V2-PAK

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

210A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 2mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

430nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

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