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MA4AGBLP912

MA4AGBLP912

ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
Número de pieza
MA4AGBLP912
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tray
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 125°C (TJ)
Paquete / Estuche
-
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Actual - Máx.
40mA
Tipo de diodo
PIN - Single
Voltaje: pico inverso (máx.)
50V
Capacitancia @ Vr, F
0.03pF @ 5V, 1MHz
Resistencia @ Si, F
4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
Disipación de energía (máx.)
-
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