Comprar Microsemi Corporation 2003 TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT

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Hojas de datos

2003

TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT

Número de pieza

2003

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

200°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

55BT-1

Potencia - Máx.

12W

Paquete de dispositivo del proveedor

55BT-1

Tipo de transistor

NPN

Corriente - Colector (Ic) (Max)

500mA

Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)

50V

Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Frecuencia - Transición

2GHz

Figura de ruido (dB tipo @ f)

Ganar

8.5dB

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