Comprar Microsemi Corporation APT1001R1BN MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

APT1001R1BN

MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Número de pieza

APT1001R1BN

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247AD

Disipación de energía (máx.)

310W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 5.25A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 37761 PCS

Información del contacto