Comprar Microsemi Corporation APT8018JN MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

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APT8018JN

MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

Número de pieza

APT8018JN

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tray

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

ISOTOP®

Disipación de energía (máx.)

690W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

40A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

700nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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