Comprar Microsemi Corporation APT80SM120B POWER MOSFET - SIC

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APT80SM120B

POWER MOSFET - SIC

Número de pieza

APT80SM120B

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247

Disipación de energía (máx.)

555W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

80A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

20V

Vgs (máx.)

+25V, -10V

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