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APTC60AM35T1G

APTC60AM35T1G

MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Número de pieza
APTC60AM35T1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SP1
Potencia - Máx.
416W
Paquete de dispositivo del proveedor
SP1
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
72A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.9V @ 5.4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
518nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 25V
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