Comprar Microsemi Corporation APTC90H12T1G MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

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APTC90H12T1G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

Número de pieza

APTC90H12T1G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tray

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP1

Potencia - Máx.

250W

Paquete de dispositivo del proveedor

SP1

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Función FET

Super Junction

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

900V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 3mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

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