Comprar Nexperia USA Inc. PHB33NQ20T,118 MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK

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Hojas de datos

PHB33NQ20T,118

MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK

Número de pieza

PHB33NQ20T,118

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK

Disipación de energía (máx.)

230W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

32.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

77 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

32.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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