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PHKD3NQ10T,518
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Número de pieza
PHKD3NQ10T,518
Fabricante/Marca
Serie
TrenchMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 20V
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