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PMCXB900UE
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
Número de pieza
PMCXB900UE
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-XFDFN Exposed Pad
Potencia - Máx.
265mW
Paquete de dispositivo del proveedor
6-DFN (1.1x1)
Tipo FET
N and P-Channel Complementary
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
600mA, 500mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
950mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
21.3pF @ 10V
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