Comprar Nexperia USA Inc. PML260SN,118 MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON

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Hojas de datos

PML260SN,118

MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON

Número de pieza

PML260SN,118

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-VDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

8-DFN3333 (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8.8A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

294 mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13.3nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

657pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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