La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Número de pieza
A2G35S200-01SR3
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Voltaje - Nominal
125V
Frecuencia
3.4GHz ~ 3.6GHz
Paquete / Estuche
NI-400S-2S
Valoración actual
-
Paquete de dispositivo del proveedor
NI-400S-2S
Salida de potencia
180W
Tipo de transistor
LDMOS
Ganar
16.1dB
Voltaje - Prueba
48V
Figura de ruido
-
Actual - Prueba
291mA
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 21918 PCS
Información del contacto
Palabras clave deA2G35S200-01SR3
A2G35S200-01SR3 Componentes electrónicos
A2G35S200-01SR3 Ventas
A2G35S200-01SR3 Proveedor
A2G35S200-01SR3 Distribuidor
A2G35S200-01SR3 Tabla de datos
A2G35S200-01SR3 Fotos
A2G35S200-01SR3 Precio
A2G35S200-01SR3 Oferta
A2G35S200-01SR3 El precio más bajo
A2G35S200-01SR3 Buscar
A2G35S200-01SR3 Adquisitivo
A2G35S200-01SR3 Chip