Comprar NXP USA Inc. PHT4NQ10LT,135 MOSFET N-CH 100V 3.5A SC73

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Hojas de datos

PHT4NQ10LT,135

MOSFET N-CH 100V 3.5A SC73

Número de pieza

PHT4NQ10LT,135

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

6.9W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1.75A, 5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

374pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±16V

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