Comprar NXP USA Inc. PHT6N06LT,135 MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223

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PHT6N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223

Número de pieza

PHT6N06LT,135

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 5A, 5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±13V

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