Comprar NXP USA Inc. PMF63UN,115 MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323

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Hojas de datos

PMF63UN,115

MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323

Número de pieza

PMF63UN,115

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-70, SOT-323

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-323-3

Disipación de energía (máx.)

275mW (Ta), 1.785W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.8A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

74 mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

185pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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