Comprar NXP USA Inc. PMG45UN,115 MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

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Hojas de datos

PMG45UN,115

MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

Número de pieza

PMG45UN,115

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete de dispositivo del proveedor

6-TSSOP

Disipación de energía (máx.)

375mW (Ta), 4.35W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

184pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

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