Comprar NXP USA Inc. PMN50XP,165 MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP

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PMN50XP,165

MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP

Número de pieza

PMN50XP,165

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-74, SOT-457

Paquete de dispositivo del proveedor

6-TSOP

Disipación de energía (máx.)

2.2W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.8A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

950mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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