Comprar NXP USA Inc. PMT200EN,115 MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

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PMT200EN,115

MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Número de pieza

PMT200EN,115

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

800mW (Ta), 8.3W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.8A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

235 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 80V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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