Comprar NXP USA Inc. PMWD19UN,518 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

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Hojas de datos

PMWD19UN,518

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Número de pieza

PMWD19UN,518

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Potencia - Máx.

2.3W

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSSOP

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.6A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

700mV @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1478pF @ 10V

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