ON Semiconductor
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BBS3002-DL-1E
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BBS3002-DL-1E

MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Número de pieza
BBS3002-DL-1E
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263)
Disipación de energía (máx.)
90W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
280nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
13200pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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