ON Semiconductor
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BFL4001-1E
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BFL4001-1E

MOSFET N-CH 900V 4.1A
Número de pieza
BFL4001-1E
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta), 37W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.1A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.7 Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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