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EFC6601R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP
Número de pieza
EFC6601R-TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-XFBGA, FCBGA
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
EFCP2718-6CE-020
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
-
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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