Comprar ON Semiconductor FCP4N60 MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220

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FCP4N60

MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220

Número de pieza

FCP4N60

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

SuperFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)

50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

16.6nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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