Comprar ON Semiconductor FDA20N50-F109 MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P

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FDA20N50-F109

MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P

Número de pieza

FDA20N50-F109

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3P-3, SC-65-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3PN

Disipación de energía (máx.)

280W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

22A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

59.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3120pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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