Comprar ON Semiconductor FDG311N MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

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Hojas de datos

FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

Número de pieza

FDG311N

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete de dispositivo del proveedor

SC-70-6

Disipación de energía (máx.)

750mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.9A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

115 mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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