Comprar ON Semiconductor FDI150N10 MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

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FDI150N10

MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Número de pieza

FDI150N10

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK (TO-262)

Disipación de energía (máx.)

110W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

57A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 49A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4760pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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