ON Semiconductor
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FDT457N
Hojas de datos

FDT457N

MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
Número de pieza
FDT457N
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223-4
Disipación de energía (máx.)
3W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.9nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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