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FDZ661PZ

MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP

Número de pieza

FDZ661PZ

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-XFBGA, WLCSP

Paquete de dispositivo del proveedor

4-WLCSP (0.8x0.8)

Disipación de energía (máx.)

1.3W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.6A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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